- RAM
임의 애겟스 방식을 이용하는 반도체 기억 장치
읽는 것과 쓰는 것이 모두 가능한 것이 특성
휘발성 저장장치라 일시적 저장장치로만 사용됨
- 구조
읽기 명령 신호를 받는 RD, 쓰기 명령 신호를 받는 WD, 칩 선택 신호인 CS, 주소 버스 신호를 받는 부분, 데이터 버스 출력부로 이루어짐
- 분류
제조 기술에 따라 분류됨
- DRAM
캐퍼시터에 전하가 존재하는지의 여부에 따라 2진수가 구분되는 기억 셀들로 이루어짐
캐퍼시터는 점차적으로 방전되기 때문에 주기적으로 재충전 필요
기억 셀이 SRAM 보다 간단하고 작아서 밀도가 더 높으며 더 저렴함
기억장치의 용량이 커질수록 재충전 회로의 비중이 상대적으로 줄어들어 칩 가격에 별 영향을 주지 않음
- SRAM
기억 셀로서 플립-플롭을 이용함
데이터가 안정된 상태로 저장될 수 있으며 재충전 필요없음
DRAM 보다 속도 빨라서 캐시로 사용됨
- 내부 조직
- M x N 비트 조직
M개의 기억 장소들로 구성되며 각 기억 장소에는 8비트씩 저장되는 구성
- 횡방향 구조
해독기와 기억 장소가 각각 연결됨
해독기가 주소 비트들을 해독하여 하나의 기억 장소를 활성화 시킴
- 장방향 구조
주소 비트가 행,렬로 나누어져 해독됨
대용량으로 갈 시 필요한 주소 비트수가 너무 많아져 거의 채택되지 않음
- 행/열 주소 버퍼 구조
주소 선을 절반으로 나누고 행, 열을 별도로 보내는 방식
재충전 계수기가 핵심이며 내부의 멀티플렉서에 의해 선택되어 행 주소 해독기로 보내지고 그 주소가 지정하는 행에 위치한 모든 기억 소자들에 '1'이 정되어 있는 기억소자들을 동시에 충전함
- 패키징
DRAM 을 포장하는 것
전원 공급 핀, 접지 핀, 데이터 입출력 핀, 주소 핀, 쓰기 신호 핀, 읽기 신호 핀, RAS핀, CAS 핀 으로 이루어짐
- ROM
읽는 것만 가능하고 쓰는 것은 불가능
프로그램이나 변경될 수 없는 데이터를 저장하는데 사용됨
영구 저장 장치
칩 선택 신호, 읽기 신호, 주소 버스, 데이터 버스 출력 선만 필요
제조 과정에서 데이터가 미리 쓰여짐
- 분화
쓰기가 되지 않는 제한을 완화시키기 위해 분화됨
- PROM
한 번만 쓸 수 있음
제조 단계에서 기억 소자들을 비워둠
더 높은 전압 신호를 발생할 수 있는 PROM 프로그래머 필요함
- EPROM
자외선을 이용하여 저장된 내용을 삭제할 수 있어 여러번 갱신이 가능한 PROM
내용 삭제는 자외선을 이용해야 함
- EEPROM
전기적으로 삭제할 수 있는 EPROM
삭제, 쓰기 모두 가능하여 컴퓨터로부터 칩을 분리시킬 피료 없음
갱신 시 이전 내용 지울 필요 없음
데이터 갱신 수만 번 이하로 제한됨
- 플래시 메모리
삭제에 걸리는 시간이 매우 짧은 EEPROM
쓰기 동작과 삭제 동작시의 데이터 크기가 서로 다름